金融界2025年1月9日音讯，国家知识产权局信息数据显现，新存科技（武汉）有限责任公司请求一项名为“半导体结构的制作办法与半导体结构”的专利，公开号 CN 119255616 A，请求日期为 2024 年 9 月。

  专利摘要显现，本请求施行例公开了一种半导体结构的制作办法与半导体结构。制作办法有：供给衬底，并在衬底上构成器材资料层；在器材资料层上，构成阻挡层；在阻挡层上构成图画化的榜首掩膜；根据榜首掩膜进行刻蚀，在阻挡层中构成沿榜首方向延伸的多条榜首沟槽；去除榜首掩膜；在阻挡层上构成图画化的第二掩膜；根据第二掩膜进行刻蚀，在阻挡层中构成沿榜首方向延伸的多条第二沟槽；去除第二掩膜；以阻挡层为掩膜进行刻蚀，将器材资料层刻蚀构成沿榜首方向延伸的多条存储单元线。

  天眼查资料显现，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，坐落武汉市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册本钱1656.3515万人民币，实缴本钱1257.59万人民币。经过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外出资了5家企业，参加招投标项目3次，专利信息58条。